ON Semiconductor KSH44H11ITU
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KSH44H11ITU
1807-KSH44H11ITU
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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TRANS NPN 80V 8A I-PAK
--最小包装量--
KSH44H11ITU详情
ON Semiconductor KSH44H11ITU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
15 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
引脚数
3
质量
343.08mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1V
Number of Elements
1
hFEMin
60
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
已出版
2017
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
80V
最大功率耗散
1.75W
额定电流
8A
频率
50MHz
基本部件号
KSH44H11
元素配置
Single
功率耗散
1.75W
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
50MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
80V
最大集电极电流
8A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 4A 1V
最大集极截止电流
10μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 400mA, 8A
转换频率
50MHz
集电极基极电压(VCBO)
80V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
KSH44H11ITU拓展信息
ON Semiconductor
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