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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.964213
10
¥1.853028
100
¥1.748143
500
¥1.649189
1000
¥1.555839
ON Semiconductor KSP2907ACTA
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- 对比
KSP2907ACTA
1807-KSP2907ACTA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
大陆
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Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3-Pin TO-92 Ammo
--最小包装量--
¥
总价: ¥
KSP2907ACTA详情
ON Semiconductor KSP2907ACTA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
安装类型
通孔
底架
通孔
触点镀层
Tin
引脚数
3
质量
240mg
晶体管元件材料
SILICON
hFEMin
100
Number of Elements
1
Collector-Emitter Saturation Voltage
-1.6V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
已出版
2007
包装
Tape & Box (TB)
操作温度
150°C TJ
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
-60V
最大功率耗散
625mW
端子位置
BOTTOM
额定电流
-600mA
频率
200MHz
基本部件号
KSP2907A
元素配置
Single
功率耗散
625mW
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
200MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
60V
最大集电极电流
600mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA 10V
最大集极截止电流
10nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.6V @ 50mA, 500mA
转换频率
200MHz
最大击穿电压
60V
集电极基极电压(VCBO)
-60V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
接通时间-最大值(ton)
45ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
无铅
无铅
KSP2907ACTA拓展信息
ON Semiconductor
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