ON Semiconductor MBD110DWT1G

生命周期状态

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包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

表面安装

YES

引脚数

6

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Power Dissipation (Max)

120mW

操作温度

-55°C~125°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

7V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

90mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

6

资历状况

不合格

元素配置

Dual

二极管类型

Schottky - 2 Independent

最大反向漏电电流

250nA

Rep Pk反向电压-最大值

7V

电容@Vr, F

1pF @ 0V 1MHz

频带

超高频

二极管电容-最大值

1pF

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅