ON Semiconductor MBD770DWT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)

工厂交货时间

2 Weeks

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

表面安装

YES

引脚数

6

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Power Dissipation (Max)

380mW

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

70V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

90mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MBD770

引脚数量

6

参考标准

AEC-Q101

最大额定电流

100mA

元素配置

Dual

二极管类型

Schottky - 2 Independent

功率耗散

120mW

正向电流

100mA

最大反向漏电电流

200nA

无卤素

无卤素

正向电压

1V

峰值反向电流

200nA

最大重复反向电压(Vrrm)

70V

电容@Vr, F

1pF @ 20V 1MHz

最大正向浪涌电流（Ifsm）

1A

频带

超高频

二极管电容-最大值

1pF

高度

1mm

长度

2.2mm

宽度

1.35mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅