MCH6321-TL-E
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ON Semiconductor MCH6321-TL-E

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型号

MCH6321-TL-E

utmel 编号

1807-MCH6321-TL-E

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

6-SMD, Flat Leads

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET SWITCHING DEVICE

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MCH6321-TL-E
MCH6321-TL-E ON Semiconductor MOSFET SWITCHING DEVICE

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MCH6321-TL-E详情

ON Semiconductor MCH6321-TL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 hour ago)

  • 工厂交货时间

    2 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-SMD, Flat Leads

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    6

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    4A Ta

  • Number of Elements

    1

  • Turn Off Delay Time

    40 ns

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2007

  • JESD-609代码

    e6

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Bismuth (Sn/Bi)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 最大功率耗散

    1.5W

  • 端子位置

    DUAL

  • 引脚数量

    6

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    1.5W

  • 接通延迟时间

    8.1 ns

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    83m Ω @ 2A, 4.5V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    375pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    4.6nC @ 4.5V

  • 上升时间

    31ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • 下降时间(典型值)

    39 ns

  • 连续放电电流(ID)

    4A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    10V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    4A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.083Ohm

  • 漏源击穿电压

    -20V

  • 高度

    850μm

  • 长度

    2mm

  • 宽度

    1.6mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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