ON Semiconductor MJD2955-1G

生命周期状态

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安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

表面安装

NO

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.1V

Number of Elements

1

hFEMin

20

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2002

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-60V

最大功率耗散

1.75W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-10A

频率

2MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MJD2955

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

1.75W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

2MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

10A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 4A 4V

最大集极截止电流

50μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

8V @ 3.3A, 10A

转换频率

2MHz

集电极基极电压(VCBO)

70V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅