ON Semiconductor MJD50G

工厂交货时间

8 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

触点镀层

Tin

表面安装

YES

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

hFEMin

30

Number of Elements

1

包装

Tube

已出版

2006

操作温度

-65°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

400V

最大功率耗散

1.56W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

1A

频率

10MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MJD50

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

功率耗散

1.56W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

10MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 300mA 10V

最大集极截止电流

200μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 200mA, 1A

转换频率

10MHz

集电极基极电压(VCBO)

500V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

宽度

6.22mm

长度

6.73mm

高度

2.38mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅