ON Semiconductor MJE180STU

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

引脚数

3

质量

761mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.7V

Number of Elements

1

hFEMin

50

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2001

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

40V

最大功率耗散

1.5W

额定电流

3A

频率

50MHz

基本部件号

MJE180

元素配置

Single

功率耗散

1.5W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

50MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 100mA 1V

最大集极截止电流

100μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.7V @ 600mA, 3A

转换频率

50MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

高度

11mm

长度

8mm

宽度

3.25mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅