ON Semiconductor MJF15031G
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MJF15031G
1807-MJF15031G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-220-3 Full Pack
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Trans GP BJT PNP 150V 8A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Full-Pak Rail
--最小包装量--
MJF15031G详情
ON Semiconductor MJF15031G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
表面安装
NO
引脚数
3
质量
4.535924g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
150V
Collector-Emitter Saturation Voltage
500mV
Number of Elements
1
hFEMin
40
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2004
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
UL 认证
电压 - 额定直流
-150V
最大功率耗散
2W
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
8A
频率
30MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
2W
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
30MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
150V
最大集电极电流
8A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20 @ 4A 2V
最大集极截止电流
10μA
JEDEC-95代码
TO-220AB
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 100mA, 1A
转换频率
30MHz
集电极基极电压(VCBO)
150V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
宽度
4.9mm
长度
9.96mm
高度
16.12mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MJF15031G拓展信息
ON Semiconductor
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