ON Semiconductor MJW21191

生命周期状态

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底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

150V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Number of Elements

1

hFEMin

15

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2010

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 额定直流

-150V

最大功率耗散

125W

额定电流

-4A

引脚数量

3

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

125W

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

40MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

150V

最大集电极电流

8A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

15 @ 4A 2V

最大集极截止电流

10μA

JEDEC-95代码

TO-247AE

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2V @ 1.6A, 8A

转换频率

4MHz

频率转换

4MHz

集电极基极电压(VCBO)

150V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅