ON Semiconductor MJW21191G

生命周期状态

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底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

150V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Current-Collector (Ic) (Max)

8A

Number of Elements

1

hFEMin

15

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-150V

最大功率耗散

125W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

-4A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

4MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

2V

最大集电极电流

8A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

15 @ 4A 2V

最大集极截止电流

10μA

JEDEC-95代码

TO-247AE

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2V @ 1.6A, 8A

转换频率

4MHz

集电极基极电压(VCBO)

150V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅