MMBD354LT1G
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ON Semiconductor MMBD354LT1G

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型号

MMBD354LT1G

utmel 编号

1807-MMBD354LT1G

商品类别

二极管 - 射频

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Diode Switching 7V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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MMBD354LT1G
MMBD354LT1G ON Semiconductor Diode Switching 7V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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MMBD354LT1G详情

ON Semiconductor MMBD354LT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

  • 工厂交货时间

    2 Weeks

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    3

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    2

  • Power Dissipation (Max)

    225mW

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2001

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • HTS代码

    8541.10.00.60

  • 电容量

    1pF

  • 电压 - 额定直流

    7V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 额定电流

    10mA

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    MMBD354

  • 引脚数量

    3

  • 元素配置

    共阴极

  • 二极管类型

    Schottky - 1 Pair Common Cathode

  • 正向电流

    10mA

  • 无卤素

    无卤素

  • 正向电压

    600mV

  • 峰值反向电流

    10μA

  • 最大重复反向电压(Vrrm)

    7V

  • 电容@Vr, F

    1pF @ 0V 1MHz

  • 反向电压

    7V

  • 频带

    超高频

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

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