ON Semiconductor MMBD355LT1

生命周期状态

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包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Power Dissipation (Max)

225mW

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.10.00.60

电压 - 额定直流

7V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

80mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

MMBD355

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Dual

二极管类型

Schottky - 1 Pair Common Anode

峰值反向电流

10μA

电容@Vr, F

1pF @ 0V 1MHz

反向电压

7V

频带

超高频

二极管电容-最大值

1pF

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅