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首页 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 MMBFJ309LT1G
MMBFJ309LT1G
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ON Semiconductor MMBFJ309LT1G

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型号

MMBFJ309LT1G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-MMBFJ309LT1G

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

ON SEMICONDUCTOR - MMBFJ309LT1G - JFET Transistor, JFET, -25 V, 12 mA, 30 mA, -4 V, SOT-23, JFET

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MMBFJ309LT1G ON Semiconductor ON SEMICONDUCTOR - MMBFJ309LT1G - JFET Transistor, JFET, -25 V, 12 mA, 30 mA, -4 V, SOT-23, JFET

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MMBFJ309LT1G详情

技术参数

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型号对比

ON Semiconductor MMBFJ309LT1G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    3

  • 质量

    1.437803g

  • Breakdown Voltage / V

    -25V

  • Number of Elements

    1

  • Usage Level

    Military grade

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2006

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电压 - 额定直流

    -25V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    260

  • 额定电流

    30mA

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    MMBFJ309

  • 引脚数量

    3

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    DEPLETION MODE

  • 功率耗散

    225mW

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 无卤素

    无卤素

  • 漏源电压 (Vdss)

    25V

  • 晶体管类型

    N-Channel JFET

  • 连续放电电流(ID)

    10mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    25V

  • 输入电容

    5pF

  • 场效应管技术

    JUNCTION

  • 最高频段

    超高频B型

  • 高度

    1.016mm

  • 长度

    3.0226mm

  • 宽度

    1.397mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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公司资质

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