ON Semiconductor MMBFU310LT1G
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MMBFU310LT1G
1807-MMBFU310LT1G
晶体管 - JFET
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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JFET N-CH 25V 0.225W SOT23
--最小包装量--
MMBFU310LT1G详情
ON Semiconductor MMBFU310LT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
2 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
质量
1.437803g
晶体管元件材料
SILICON
Breakdown Voltage / V
-25V
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
25V
最大功率耗散
225mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
10mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MBFU310
引脚数量
3
元素配置
Single
操作模式
DEPLETION MODE
功率耗散
225mW
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
AMPLIFIER
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5pF @ 10V VGS
连续放电电流(ID)
60mA
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
25V
场效应管技术
JUNCTION
反馈上限-最大值 (Crss)
2.5 pF
最高频段
超高频B型
漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)
24mA @ 10V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
2.5V @ 1nA
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MMBFU310LT1G拓展信息
ON Semiconductor
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