ON Semiconductor MMBT2222AT

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-89, SOT-490

引脚数

3

供应商器件包装

SOT-523F

质量

30mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Current-Collector (Ic) (Max)

600mA

Number of Elements

1

hFEMin

75

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

250mW

频率

300MHz

基本部件号

MMBT2222

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

250mW

功率 - 最大

250mW

增益带宽积

300MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

600mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 1V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

40V

最高频率

100MHz

最大击穿电压

40V

频率转换

300MHz

集电极基极电压(VCBO)

75V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

高度

780μm

长度

1.7mm

宽度

980μm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅