ON Semiconductor MMBT3904LT3G
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MMBT3904LT3G
1807-MMBT3904LT3G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TRANS NPN 40V 0.2A SOT23
--最小包装量--
MMBT3904LT3G详情
ON Semiconductor MMBT3904LT3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40V
Collector-Emitter Saturation Voltage
300mV
Number of Elements
1
hFEMin
40
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
40V
最大功率耗散
300mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
200mA
频率
300MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MMBT3904
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
300mW
增益带宽积
300MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
40V
最大集电极电流
200mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 10mA 1V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 5mA, 50mA
转换频率
300MHz
最大击穿电压
40V
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
关断时间-最大值(toff)
250ns
接通时间-最大值(ton)
70ns
高度
1.01mm
长度
3.04mm
宽度
1.4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MMBT3904LT3G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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