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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 MMBT2907A-D87Z
MMBT2907A-D87Z
MMBT2907A-D87Z

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ON Semiconductor MMBT2907A-D87Z

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型号

MMBT2907A-D87Z

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-MMBT2907A-D87Z

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 800mA 200MHz 350mW Surface Mount SOT-23-3

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MMBT2907A-D87Z
MMBT2907A-D87Z ON Semiconductor Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 800mA 200MHz 350mW Surface Mount SOT-23-3

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技术参数

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型号对比

ON Semiconductor MMBT2907A-D87Z重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 生命周期状态

    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 引脚数

    3

  • 质量

    30mg

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    60V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.6V

  • Number of Elements

    1

  • hFEMin

    100

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最大功率耗散

    350mW

  • 频率

    200MHz

  • 基本部件号

    MMBT2907

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    350mW

  • 增益带宽积

    200MHz

  • 极性/通道类型

    PNP

  • 晶体管类型

    PNP

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    60V

  • 最大集电极电流

    800mA

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    100 @ 150mA 10V

  • 最大集极截止电流

    20nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    1.6V @ 50mA, 500mA

  • 转换频率

    200MHz

  • 最大击穿电压

    40V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    -60V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    -5V

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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公司资质

ISO13485
AS
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