注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.337387
10
¥1.261686
100
¥1.19027
500
¥1.122896
1000
¥1.059335
ON Semiconductor MMBT3904
- 收藏
- 对比
MMBT3904
1807-MMBT3904
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MMBT3904详情
ON Semiconductor MMBT3904重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
31 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
供应商器件包装
SOT-23-3
质量
30mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40V
Collector-Emitter Saturation Voltage
200mV
Current-Collector (Ic) (Max)
200mA
Number of Elements
1
hFEMin
100
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
SMD/SMT
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
40V
最大功率耗散
350mW
额定电流
200mA
频率
300MHz
基本部件号
MMBT3904
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
350mW
功率 - 最大
350mW
增益带宽积
300MHz
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
40V
最大集电极电流
200mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 10mA 1V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 5mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
40V
最高频率
300MHz
最大击穿电压
40V
频率转换
300MHz
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
高度
930μm
长度
2.92mm
宽度
1.3mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
MMBT3904拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor








哦! 它是空的。