ON Semiconductor MMBT2222A
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MMBT2222A
1807-MMBT2222A
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TRANS NPN 40V 1A SOT-23
--最小包装量--
MMBT2222A详情
ON Semiconductor MMBT2222A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
142 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
供应商器件包装
SOT-23-3
质量
59.987591mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40V
Collector-Emitter Saturation Voltage
300mV
Current-Collector (Ic) (Max)
1A
Number of Elements
1
hFEMin
100
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2016
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
SMD/SMT
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
40V
最大功率耗散
300mW
额定电流
500mA
频率
300MHz
基本部件号
MMBT2222
极性
NPN
电压
40V
元素配置
Single
电流
6A
功率耗散
350mW
功率 - 最大
350mW
增益带宽积
300MHz
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
40V
最大集电极电流
600mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA 10V
最大集极截止电流
10nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
40V
最高频率
300MHz
最大击穿电压
40V
频率转换
300MHz
集电极基极电压(VCBO)
75V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
高度
1mm
长度
3.05mm
宽度
1.4mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
MMBT2222A拓展信息
ON Semiconductor
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