ON Semiconductor MMBT4401
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MMBT4401
1807-MMBT4401
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23
--最小包装量--
MMBT4401详情
ON Semiconductor MMBT4401重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
39 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
供应商器件包装
SOT-23-3
质量
30mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40V
Collector-Emitter Saturation Voltage
750mV
Current-Collector (Ic) (Max)
600mA
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
255 ns
hFEMin
100
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
40V
最大功率耗散
350mW
额定电流
500mA
频率
250MHz
基本部件号
MMBT4401
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
350mW
接通延迟时间
35 ns
功率 - 最大
350mW
增益带宽积
250MHz
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
40V
最大集电极电流
600mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA 1V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
750mV @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
40V
最高频率
250MHz
最大击穿电压
40V
频率转换
250MHz
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
高度
6.35mm
长度
6.35mm
宽度
6.35mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
MMBT4401拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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