ON Semiconductor MMBT5550LT3G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

4 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

140V

Collector-Emitter Saturation Voltage

150mV

Number of Elements

1

hFEMin

60

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

140V

最大功率耗散

225mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

600mA

基本部件号

MMBT5550

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

300mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

140V

最大集电极电流

60mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 5mA, 50mA

最大击穿电压

140V

集电极基极电压(VCBO)

160V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

VCEsat-最大值

0.25 V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅