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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 MMBT8099LT1G
MMBT8099LT1G
MMBT8099LT1G

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ON Semiconductor MMBT8099LT1G

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型号

MMBT8099LT1G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-MMBT8099LT1G

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

ON Semi MMBT8099LT1G NPN Bipolar Transistor; 0.5 A; 80 V; 3-Pin SOT-23

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MMBT8099LT1G
MMBT8099LT1G ON Semiconductor ON Semi MMBT8099LT1G NPN Bipolar Transistor; 0.5 A; 80 V; 3-Pin SOT-23

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技术参数

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型号对比

ON Semiconductor MMBT8099LT1G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

  • 工厂交货时间

    2 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    3

  • 质量

    4.535924g

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    80V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    400mV

  • Number of Elements

    1

  • hFEMin

    100

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2006

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电压 - 额定直流

    80V

  • 最大功率耗散

    225mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    260

  • 额定电流

    500mA

  • 频率

    150MHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    MMBT8099

  • 引脚数量

    3

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    225mW

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 增益带宽积

    150MHz

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    80V

  • 最大集电极电流

    500mA

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    100 @ 1mA 5V

  • 最大集极截止电流

    100nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    400mV @ 5mA, 100mA

  • 转换频率

    150MHz

  • 最大击穿电压

    80V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    80V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    6V

  • 高度

    1.01mm

  • 长度

    3.04mm

  • 宽度

    1.4mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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公司资质

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AS
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