ON Semiconductor MMDF1N05ER2

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 2 weeks ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

40 ns

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2006

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

50V

最大功率耗散

2W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

MMDF1N05E

引脚数量

8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

300m Ω @ 1.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

330pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12.5nC @ 10V

上升时间

30ns

下降时间（典型值）

25 ns

连续放电电流(ID)

2A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2A

漏极-源极导通最大电阻

0.3Ohm

漏源击穿电压

50V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

10A

雪崩能量等级（Eas）

300 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅