ON Semiconductor MMFT5P03HDT3

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

4

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

EU RoHS

不合规

ECCN (US)

EAR99

SVHC

有

SVHC Exceeds Threshold

有

Automotive

无

PPAP

无

Category

功率MOSFET

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Maximum Drain Source Voltage (V)

30

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Continuous Drain Current (A)

5.2

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

100@10V

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

17@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

17

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

475@25V

Maximum Power Dissipation (mW)

3130

Typical Fall Time (ns)

46|40

Typical Rise Time (ns)

24|55

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

47|30

Typical Turn-On Delay Time (ns)

12|19

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Mounting

表面贴装

Package Height

1.57

Package Width

3.5

Package Length

6.5

PCB changed

3

Tab

Tab

Standard Package Name

SOT

Supplier Package

SOT-223

Lead Shape

Gull-wing

Number of Elements

1

RoHS

Non-Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

MMFT5P03HDT3

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Motorola Mobility LLC

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

MOTOROLA INC

Risk Rank

5.39

Drain Current-Max (ID)

5.2 A

包装

卷带

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE ENERGY RATED

子类别

其他晶体管

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

单排双泄

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.13 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

5.2 A

JEDEC-95代码

TO-261AA

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.7 A

漏极-源极导通最大电阻

0.1 Ω

DS 击穿电压-最小值

30 V

信道型

P

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.56 W