ON Semiconductor MPSA29

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

13 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

质量

201mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.2V

Number of Elements

1

hFEMin

10000

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

100V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

额定电流

800mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

MPSA29

引脚数量

3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

625mW

晶体管应用

AMPLIFIER

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10000 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 100μA, 100mA

转换频率

200MHz

最大击穿电压

100V

频率转换

125MHz

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

12V

连续集电极电流

500mA

高度

4.7mm

长度

4.7mm

宽度

3.93mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅