ON Semiconductor MPSA44G

生命周期状态

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底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400V

Collector-Emitter Saturation Voltage

750mV

Number of Elements

1

hFEMin

40

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2006

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

电压 - 额定直流

400V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

300mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

MPSA44

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

625mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400V

最大集电极电流

300mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 10mA 10V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

750mV @ 5mA, 50mA

转换频率

20MHz

集电极基极电压(VCBO)

500V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

高度

5.334mm

长度

5.1816mm

宽度

4.191mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅