ON Semiconductor MPSW56RLRAG

生命周期状态

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底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-500mV

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

电压 - 额定直流

-80V

最大功率耗散

1W

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-500mA

频率

50MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MPSW56

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

1W

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

50MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 250mA 1V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 10mA, 250mA

转换频率

50MHz

最大击穿电压

80V

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

4V

高度

7.87mm

长度

5.21mm

宽度

4.19mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅