ON Semiconductor MTB30P06VT4G

生命周期状态

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安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3W Ta 125W Tc

Turn Off Delay Time

98 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

80MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

-60V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-30A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

14.7 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

80m Ω @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2190pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

80nC @ 10V

上升时间

25.9ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±15V

下降时间（典型值）

52.4 ns

连续放电电流(ID)

30A

栅极至源极电压(Vgs)

15V

漏源击穿电压

-60V

雪崩能量等级（Eas）

450 mJ

栅源电压

-2.6 V

高度

4.83mm

长度

10.29mm

宽度

9.65mm

达到SVHC

Unknown

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅