ON Semiconductor MVDF2C03HDR2G
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MVDF2C03HDR2G
1807-MVDF2C03HDR2G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
1最小包装量--
MVDF2C03HDR2G详情
ON Semiconductor MVDF2C03HDR2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件包装
8-SOIC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.1A 3A
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
功率 - 最大
2W
场效应管类型
N and P-Channel Complementary
Rds On(Max)@Id,Vgs
70mOhm @ 3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
630pF @ 24V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
16nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
场效应管特性
逻辑电平门
MVDF2C03HDR2G拓展信息








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