ON Semiconductor NDDP010N25AZ-1H

工厂交货时间

4 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

质量

3.949996g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1W Ta 52W Tc

Turn Off Delay Time

44 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2010

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

420m Ω @ 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

980pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16nC @ 10V

上升时间

26ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

31 ns

连续放电电流(ID)

10A

阈值电压

4.5V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.42Ohm

漏源击穿电压

250V

高度

7mm

长度

6.5mm

宽度

2.3mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅