ON Semiconductor NGB18N40CLBT4

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

430V

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn80Pb20)

电压 - 额定直流

400V

最大功率耗散

115W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

18A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

NG*18N40CL

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

115W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Logic

晶体管应用

汽车点火装置

上升时间

4.5ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.5V

最大集电极电流

18A

接通时间

5200 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 4V, 15A

关断时间-标准值（toff)

13000 ns

集极脉冲电流（Icm）

50A

栅极-发射极电压-最大值

18V

栅极-发射极Thr电压-最大值

1.9V

最大下降时间 (tf)

15000ns

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅