ON Semiconductor NGB8206NG

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

390V

Number of Elements

1

Test Conditions

300V, 9A, 1k Ω, 5V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

350V

最大功率耗散

150W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

20A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

NGB8206

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

上升时间-最大值

8000ns

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

功率耗散

150W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Logic

晶体管应用

汽车点火装置

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.9V

最大集电极电流

20A

接通时间

6500 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.9V @ 4.5V, 20A

关断时间-标准值（toff)

18500 ns

集极脉冲电流（Icm）

50A

Td（开/关）@25°C

-/5μs

栅极-发射极电压-最大值

15V

栅极-发射极Thr电压-最大值

2.1V

最大下降时间 (tf)

14000ns

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅