ON Semiconductor NGB8207ANT4G
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NGB8207ANT4G
1807-NGB8207ANT4G
晶体管 - IGBT - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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IGBT 365V 20A 165W D2PAK3
1最小包装量--
NGB8207ANT4G详情
ON Semiconductor NGB8207ANT4G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
365V
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
165W
终端形式
鸥翼
基本部件号
NGB8207A
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Logic
功率 - 最大
165W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
365V
最大集电极电流
20A
接通时间
2450 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.2V @ 3.7V, 10A
关断时间-标准值(toff)
14700 ns
集极脉冲电流(Icm)
50A
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
NGB8207ANT4G拓展信息
ON Semiconductor
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