ON Semiconductor NGTB20N120LWG

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.2V

Number of Elements

1

Test Conditions

600V, 20A, 10 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

235 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

1999

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

192W

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

77W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

86 ns

功率 - 最大

192W

晶体管应用

MOTOR CONTROL

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

40A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

110 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.2V @ 15V, 20A

关断时间-标准值（toff)

485 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

200nC

集极脉冲电流（Icm）

200A

Td（开/关）@25°C

86ns/235ns

开关能量

3.1mJ (on), 700μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

高度

21.08mm

长度

16.26mm

宽度

5.3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅