ON Semiconductor NGTB40N120FLWG

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Number of Elements

1

Test Conditions

600V, 40A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

260W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

260W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

无卤素

无卤素

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

80A

反向恢复时间

200ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

172 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.2V @ 15V, 40A

关断时间-标准值（toff)

630 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

415nC

集极脉冲电流（Icm）

160A

Td（开/关）@25°C

130ns/385ns

开关能量

2.6mJ (on), 1.6mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

高度

21.08mm

长度

16.26mm

宽度

5.3mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅