ON Semiconductor NGTB40N60IHLWG

生命周期状态

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安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

NO

引脚数

3

质量

6.500007g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 40A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

250W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

250W

晶体管应用

电源控制

无卤素

无卤素

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

80A

反向恢复时间

400 ns

接通时间

110 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 40A

关断时间-标准值（toff)

230 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

130nC

集极脉冲电流（Icm）

200A

Td（开/关）@25°C

70ns/140ns

开关能量

400μJ (off)

高度

21.08mm

长度

16.26mm

宽度

5.3mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅