ON Semiconductor NGTB40N65IHL2WG

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

650V

Test Conditions

400V, 40A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2014

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

300W

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

300W

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.2V

最大集电极电流

80A

反向恢复时间

465 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.2V @ 15V, 40A

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

135nC

集极脉冲电流（Icm）

160A

Td（开/关）@25°C

-/140ns

开关能量

360μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅