ON Semiconductor NJL0281DG

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

2 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-5

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

260V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

1

hFEMin

75

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

电压 - 额定直流

-260V

最大功率耗散

180W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-15A

频率

30MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

5

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

180W

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

30MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

260V

最大集电极电流

15A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

75 @ 3A 5V

最大集极截止电流

10μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 500mA, 5A

转换频率

30MHz

集电极基极电压(VCBO)

260V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

26.111mm

长度

20.02mm

宽度

5.182mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅