ON Semiconductor NJL4281DG

生命周期状态

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底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-5

引脚数

5

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

350V

Number of Elements

1

hFEMin

80

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

电压 - 额定直流

260V

最大功率耗散

230W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

15A

频率

35MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

5

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

230W

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

35MHz

晶体管类型

NPN + Diode (Isolated)

集电极发射器电压(VCEO)

350V

最大集电极电流

15A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 5A 5V

最大集极截止电流

100μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 800mA, 8A

转换频率

35MHz

集电极基极电压(VCBO)

350V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

6.35mm

长度

6.35mm

宽度

50.8mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅