注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

价格梯度

内地含税价

1

￥12.613083
10

￥11.899134
100

￥11.225603
500

￥10.590185
1000

￥9.990743

ON Semiconductor NJVMJD117T4G

Name: NJVMJD117T4G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-NJVMJD117T4G
Price: 12.61 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

NJVMJD117T4G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-NJVMJD117T4G

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

2.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

起订量

--最小包装量--

单价:

￥

总价: ￥

添加到询价列表

NJVMJD117T4G ON Semiconductor 2.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

单价: $

合计: ￥

库存:35000

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

NJVMJD117T4G详情

技术参数

PDF文档

型号对比

ON Semiconductor NJVMJD117T4G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间

8 Weeks
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装

YES
引脚数

3
Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V
Collector-Emitter Saturation Voltage

2V
Number of Elements

1
操作温度

-65°C~150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2006
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin (Sn)
最大功率耗散

1.75W
基本部件号

MJD117
引脚数量

3
极性

PNP
元素配置

Single
功率 - 最大

1.75W
无卤素

无卤素
晶体管类型

PNP - Darlington
集电极发射器电压(VCEO)

100V
最大集电极电流

2A
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 2A 3V
最大集极截止电流

20μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 40mA, 4A
转换频率

25MHz
频率转换

25MHz
集电极基极电压(VCBO)

100V
发射极基极电压 (VEBO)

5V
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

0个相似型号

NJVMJD117T4G拓展信息

热销零件