ON Semiconductor NJVMJD127T4G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

22 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

20W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

20W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

4V

最大集电极电流

8A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 4A 4V

最大集极截止电流

10μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

4V @ 80mA, 8A

转换频率

4MHz

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅