ON Semiconductor NSM6056MT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

工厂交货时间

11 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-74, SOT-457

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

380mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

引脚数量

6

极性

NPN

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

250MHz

晶体管类型

NPN + Zener Diode (Isolated)

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

600mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 1V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

750mV @ 50mA, 500mA

转换频率

250MHz

最大击穿电压

40V

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

连续集电极电流

600mA

关断时间-最大值（toff)

255ns

接通时间-最大值(ton)

35ns

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅