ROHM Semiconductor 2SC5729T106R
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2SC5729T106R
2078-2SC5729T106R
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SC-70, SOT-323
大陆
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TRANS NPN 30V 0.5A SC70
--最小包装量--
2SC5729T106R详情
ROHM Semiconductor 2SC5729T106R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30V
Current-Collector (Ic) (Max)
500mA
Number of Elements
1
hFEMin
180
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
最高工作温度
150°C
最大功率耗散
200mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
元素配置
Single
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
300MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
30V
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
180 @ 50mA 2V
最大集极截止电流
1μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 10mA, 100mA
转换频率
300MHz
集电极基极电压(VCBO)
30V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
2SC5729T106R拓展信息
ROHM Semiconductor
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