ON Semiconductor NSS12501UW3T2G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-WDFN Exposed Pad

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

12V

Collector-Emitter Saturation Voltage

120mV

Number of Elements

1

hFEMin

200

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

1.5W

端子位置

DUAL

频率

150MHz

基本部件号

NSS12501

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

1.5W

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

875mW

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

增益带宽积

150MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

12V

最大集电极电流

5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2A 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

120mV @ 400mA, 4A

转换频率

150MHz

最大击穿电压

12V

集电极基极电压(VCBO)

12V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

关断时间-最大值（toff)

420ns

高度

750μm

长度

2mm

宽度

2mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅