ON Semiconductor NSTB1005DXV5T1

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-553

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

250mV

Number of Elements

2

hFEMin

80

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

电压 - 额定直流

50V

最大功率耗散

357mW

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

额定电流

100mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

NSTB1005DXV5

引脚数量

5

资历状况

不合格

极性

PNP

元素配置

Dual

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

50V

集电极基极电压(VCBO)

50V

集电极电流-最大值(IC)

0.1A

最小直流增益（hFE）

80

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

无铅