ON Semiconductor NSV1C200LT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

8 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-950mV

Current-Collector (Ic) (Max)

2A

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

490mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

参考标准

AEC-Q101

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

增益带宽积

120MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

250mV

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 500mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 200mA, 2A

转换频率

120MHz

集电极基极电压(VCBO)

-140V

连续集电极电流

-2A

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅