ON Semiconductor NSV20101JT1G

工厂交货时间

4 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-89, SOT-490

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

255mW

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

引脚数量

3

参考标准

AEC-Q101

配置

SINGLE

功率 - 最大

255mW

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

220mV

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 100mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

220mV @ 100mA, 1A

转换频率

350MHz

频率转换

350MHz

集电极基极电压(VCBO)

40V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅