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1

￥1.922556
10

￥1.813733
100

￥1.71107
500

￥1.614212
1000

￥1.522847

ON Semiconductor NSVBC850BLT1G

Name: NSVBC850BLT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-NSVBC850BLT1G
Price: 1.92 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

NSVBC850BLT1G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-NSVBC850BLT1G

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS NPN BIPOLAR 45V SOT23-3

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--最小包装量--

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NSVBC850BLT1G ON Semiconductor TRANS NPN BIPOLAR 45V SOT23-3

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NSVBC850BLT1G详情

技术参数

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型号对比

ON Semiconductor NSVBC850BLT1G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间

4 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V
操作温度

-55°C~150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2009
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
端子表面处理

Tin (Sn)
最大功率耗散

225mW
功率 - 最大

225mW
晶体管类型

NPN
集电极发射器电压(VCEO)

600mV
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2mA 5V
最大集极截止电流

15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 5mA, 100mA
频率转换

100MHz
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

0个相似型号

NSVBC850BLT1G拓展信息

热销零件