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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 NSVBC850BLT1G
NSVBC850BLT1G
NSVBC850BLT1G

注：图像仅供参考，请参阅产品规格

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ON Semiconductor NSVBC850BLT1G

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  • 对比

型号

NSVBC850BLT1G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-NSVBC850BLT1G

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS NPN BIPOLAR 45V SOT23-3

起订量

--最小包装量--

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NSVBC850BLT1G
NSVBC850BLT1G ON Semiconductor TRANS NPN BIPOLAR 45V SOT23-3

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NSVBC850BLT1G详情

技术参数

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型号对比

ON Semiconductor NSVBC850BLT1G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

  • 工厂交货时间

    4 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    45V

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2009

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最大功率耗散

    225mW

  • 功率 - 最大

    225mW

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    600mV

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    200 @ 2mA 5V

  • 最大集极截止电流

    15nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    600mV @ 5mA, 100mA

  • 频率转换

    100MHz

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor NSVBC850BLT1G.

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右边的3个型号有着和ON Semiconductor & NSVBC850BLT1G相似的参数规格。

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

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